光刻机是目前国产芯片制造的最大障碍
大家都知道高端光刻机仅有荷兰ASML公司，别无分号。而且因为美国的压力，ASML无法卖光刻机给中国大陆，近期随着美国对华为断供政策，受制于美方压力，制裁华为缓冲期一过，各原材料及芯片供应厂商也只能断供华为，华为空有高端CPU设计图纸，却无法制造出CPU芯片，目前最大的障碍是芯片制造的光刻环节。
光刻机的精度已经快接近极限
光的波长是有范围的。加上半导体的量子极限是3nm，再小了对做半导体没有意义了。目前ASML的光刻机可以实现7nm量产。纯国产光刻机只有28nm的精度。
专业人士认为我们在光刻领域落后ASML至少10年，有没有办法绕开光刻技术？个人觉得水刻理论上也是行得通的，条件也是成熟的。
水刻机做芯片求教
条件：
（1）水分子直径大约0.4nm。
（2）反渗透膜已经是很成熟的产品，此膜可以做到与水分子相近的孔径。
设想：
（1）将CPU集成电路图，做成胶片，但这个胶片不是透光的，而是透水的，有线路部分是透水的，只有水分子可以穿透它并附于晶圆表面，水分子数量要注意控制。通过压力的方式直接使水分子穿透反渗透膜，附于晶圆上。
（2）电子板上有特殊胶，与光刻胶作用相似，但只与水发生反应。没有水分子的地方，不会反应。甚至可以直接将胶通过反渗透膜涂抹在晶圆上。
请教专家，这样是不是可靠？
我不是这方面专家，只是一个热心的中国人，如果按原理分析，可以做出1nm左右的电路了，是否可行，欢迎大家讨论。
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